(相关资料图)
9月1日,三星公布AI存储器发展路线图,预计HBM5性能较HBM4E提升约一倍,同时单位功耗性能提升20%、热阻降低20%。三星还在推进zHBM技术,计划将HBM直接置于AI加速器上方,未来接口性能最高有望达到HBM5的8倍,能效提升至3倍、热阻降低逾一半。
采编:hyt15 来源:界面新闻 发布时间:2026-09-01 21:25:13
(相关资料图)
9月1日,三星公布AI存储器发展路线图,预计HBM5性能较HBM4E提升约一倍,同时单位功耗性能提升20%、热阻降低20%。三星还在推进zHBM技术,计划将HBM直接置于AI加速器上方,未来接口性能最高有望达到HBM5的8倍,能效提升至3倍、热阻降低逾一半。
